介面
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
連續讀取速度
最高 14,700 MB/s * 效能可能因系統硬體配置而異
連續寫入速度
最高 13,300 MB/s * 效能可能因系統硬體配置而異
應用
個人電腦、遊戲主機等
重量
約 9.0g
實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )
約 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
容量
1,000GB (1GB=1,000,000,000 bytes) * 一部分容量用於系統文件和維護用途，實際容量可能與產品標示不同
類型
M.2 (2280)
Storage Memory
Samsung V-NAND TLC
控制晶片
三星內部控制器
快取記憶體
Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM
TRIM Support
TRIM 支援
S.M.A.R.T Support
S.M.A.R.T 支援
垃圾回收
垃圾自動回收演算法
資料加密
AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
全球通用名稱 (World Wide Name)
不支援
睡眠模式
支援
隨機讀取速度
最高 1,850,000 IOPS * 效能可能因系統硬體配置而異
隨機寫入速度
最高 2,600,000 IOPS * 效能可能因系統硬體配置而異
平均功率消耗
平均: 讀 7.6 W / 寫 7.2 W * 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異
功率消耗 (閒置模式)
一般 4 mW * 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異
功率消耗 (睡眠模式)
一般 3.3 mW * 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異
允許電壓
3.3 V ± 5 %
可靠性 (MTBF)
1.5 百萬小時 * MTBF：平均故障間隔 (平均連續無故障時間)
作業溫度
0 - 70 ℃
抗震
1,500 G & 0.5 ms (Half sine)